Modules hybrides Si/SiC NXH240B120H3Q1x1G
Les modules intégrés de puissance hybride (PIM) Si/SiC NXH240B120H3Q1x1G onsemi contiennent un module Boost IGBT+SiC 1200 V à trois canaux et une thermistance NTC. Chaque canal est constitué d’un IGBT 80 A à commutation rapide, d’une diode SiC 30 A, d’une diode de dérivation et d’une diode de protection IGBT.Les IGBT à arrêt de champ et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et de commutation plus faibles, permettant un rendement élevé et une fiabilité supérieure.
