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Transistors bipolaires NPN DXTN80x
Les transistors bipolaires NPN DXTN80x de Diodes Incorporated sont dotés d'un boîtier PowerDI® 3333-8 à petit facteur de forme et à rendement thermique efficace, ce qui permet d'obtenir des produits finaux à plus forte densité. Les dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur >30 V, 60 V ou 100 V et une tension émetteur-base >8 V. Le DXTN80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les transistors bipolaires NPN DXTN80x de Diodes Inc. sont excellents pour les moteurs, les solénoïdes, les relais et les commandes de pilotes d'actionneurs.