Transistors bipolaires NPN DXTN80x

Les transistors bipolaires NPN DXTN80x de Diodes Incorporated sont en boîtier PowerDI®3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, ce qui permet d’obtenir des produits finaux à densité supérieure. Ces dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur supérieure à 30, 60 ou 100 V et une tension émetteur-base supérieure à 8 V. Le DXTN80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les Transistors bipolaires NPN de Diodes Inc. DXTN80x sont excellents pour des moteurs, des solénoïdes, des relais et des commandes de pilotes d'actionneurs.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Qualification Série Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3 715En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3 669En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3 983En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape