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SI4056ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056ADY-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI4056ADY-T1-GE3
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SI4056ADY-T1-GE3

N° de fab. :

SI4056ADY-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

Fiche technique:

SI4056ADY-T1-GE3 Fiche technique

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,09 €	1,09 €
	0,685 €	6,85 €
	0,452 €	45,20 €
	0,352 €	176,00 €
	0,32 €	320,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,284 €	710,00 €
	0,277 €	1 385,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	8.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	29.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	19.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	49 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	750 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N Si4056ADY

Le MOSFET à canal N Si4056ADY Vishay/Siliconix est fourni en boîtier SO-8 avec une tension drain-source nominale de 100 V et un courant de drain pulsé de 40 A. Le MOSFET dispose d'un faible R_DS x Qg facteur de mérite (FOM) et est réglé pour le FOM R_DS x Q_oss le plus faible. Le MOSFET à canal N Si4056ADY Vishay est idéal pour les commutateurs côté primaire, les pilotes LED, les commutateurs de charge et les applications de redressement synchrone.

MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une R_DS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Q_dg/Q_gs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
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