MOSFET de puissance RQ3xFRATCB
Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101. Ces MOSFET disposent d'une plage de tension drain-source de -40 V à 100 V, 8 bornes, d'une dissipation d'énergie jusqu'à 69 W et d'un courant de drain continu de ±12 A à ±27 A. Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB sont disponibles en canal N et canal P. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un petit boîtier HSMT8AG de 3,3 mm x 3,3 mm. Le MOSFET de puissance RQ3xFRATCB est idéal pour les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), l'infotainment, l'éclairage et la carrosserie.
