Modules IGBT XHP™ 2 de 1 700 V

Les Modules IGBT XHP™ 2 de 1 700 V d'Infineon Technologies sont des dispositifs de puissance à hautes performances, construits sur une plateforme évolutive optimisée pour des systèmes exigeants de haute puissance. Le boîtier XHP 2 correspond à un boîtier multiple de faible inductance qui limite l'inductance parasite en permettant un comportement propre de commutation. Ces caractéristiques contribuent à réduire les surtensions et les pertes de commutation dans des applications à courants élevés. Combinées aux technologies IGBT TRENCHSTOP™ avancées etXT interconnexion, ces modules offrent une haute densité de courant, une faible tension de saturation et une solide capacité de cyclage thermique, permettant une fiabilité de fonctionnement à des températures élevées de jonction pouvant atteindre +175 °C. Haute densité de puissance et conception mécanique évolutive permettent une intégration cohérente sur différentes plateformes convertisseuses, tout en maintenant un haut rendement et une longue durée de vie.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT
3Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT
3Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray