FMMT411TA

Diodes Incorporated
621-FMMT411TA
FMMT411TA

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT Avalanche Transistor SOT23 T&R 3K

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 985

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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,24 € 3,24 €
2,12 € 21,20 €
1,49 € 149,00 €
1,32 € 660,00 €
1,20 € 1 200,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,12 € 3 360,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

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Diodes Incorporated
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
600 mA
15 V
80 V
7 V
800 mV
730 mW
40 MHz
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: DE
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 8 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

Transistor avalanche basse tension NPN FMMT411T

Le transistor avalanche basse tension NPN FMMT411T de Diodes Incorporated est un transistor bipolaire planaire en silicium conçu pour fonctionner en mode avalanche. Un contrôle étroit des processus et un boîtier à faible inductance se combinent pour produire des impulsions à courant élevé avec des bords rapides. Le FMMT411T est spécialement conçu pour un fonctionnement en mode avalanche basse tension et dispose d’un courant d’avalanche de crête de 80 A.