MOSFET à tranchée et canal N 2N7002AK

Les MOSFET à tranchée et canal N 2N7002AK de Nexperia sont des transistors à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement dans de petits boîtiers en plastique montés en surface (CMS) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée. Ces dispositifs qualifiés AEC-Q101 offrent une compatibilité au niveau logique dans une large plage de température de jonction de -55 °C à +175 °C. Les applications des MOSFET à tranchée et canal N 2N7002AK de Nexperia comprennent les relais et les pilotes de ligne à grande vitesse, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A 6 682En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6 382En stock
5 00011/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A 23En stock
9 00022/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
50 98807/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
9 34631/05/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape