MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG

Les MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant avec diodes de protection G-S intégrées Ces MOSFET offrent une tension drain-source (VDSS) de -30 V et une dissipation d'énergie (PD) de 1 W. Le MOSFET RRR030P03HZG fournit un courant de drain continu (ID) de ±3 A et le MOSFET RRR040P03HZG fournit ±4 A ID. Ces MOSFET sont conformes AEC-Q101 et sont fournis avec des placages sans plomb. Les MOSFET RRR0x0P03HZG de ROHM Semiconductor sont disponibles en petit boîtier TSMT3 à montage en surface et sont adaptés aux convertisseurs CC-CC.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T
Fiche technique
Commentaire Produit
4 427En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T
Fiche technique
Commentaire Produit
1 143En stock
3 00016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape