Contrôleurs de diode idéale LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1
Les contrôleurs de diodes idéales LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1 Texas Instruments pilotent et contrôlent des MOSFET à canal N externes dos à dos pour émuler un redresseur à diodes idéales avec contrôle ON/OFF du chemin d'alimentation avec protection contre les surintensités et les surtensions. L’alimentation d’entrée large de 3 V à 65 V permet la protection et le contrôle des calculateurs alimentés par batterie automobile de 12 V et 24 V. Ces contrôleurs peuvent résister et protéger les charges contre des tensions d’alimentation négatives aussi basses que –65 V. Un contrôleur de diode idéale intégré (DGATE) pilote le premier MOSFET pour remplacer une diode SCHOTTKY pour la protection contre l'entrée inverse et le maintien de la tension de sortie. Avec un deuxième MOSFET dans le chemin de puissance, le dispositif permet la déconnexion de la charge (contrôle ON/OFF) en cas de conditions de surintensité et de surtension, en utilisant le contrôle HGATE. Les contrôleurs Le LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1 disposent d'un amplificateur de détection de courant intégré, assurant une surveillance précise du courant avec surintensité et des seuils de court-circuit réglables. Ces dispositifs présentent une protection par coupure réglable des surtensions. Les contrôleurs idéaux disposent également d'un mode SLEEP, qui permet une consommation de courant de repos ultra-faible (6 µA) et fournit simultanément un courant de rafraîchissement aux charges toujours sous tension lorsqu'un véhicule est en état de stationnement. Le LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1 de Texas Instruments a une tension maximum de 65 V.
