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NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 1.69 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-FS5832NLWFT1G-UM

N° de fab. :

NVMFS5832NLWFT1G-UM

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Cycle de vie:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	127 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	21 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24 ns
Série:	NVMFS5832NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

Le MOSFET de puissance monocanal NVMFS5832NL d’onsemi est un MOSFET à hautes performances conçu pour des applications à basse tension nécessitant une commutation de puissance efficace. Conçu avec une technologie à tranchées d’avant-garde, le NVMFS5832NL d’onsemi affiche une RDS_(on) remarquablement faible de 4,2 mΩ à V_GS = 10 V, permettant de réduire les pertes de conduction et des performances thermiques améliorées. Avec une tension drain-source maximale de 40 V et une tension de courant de drain continu pouvant atteindre 120 A, ce MOSFET est idéal pour les environnements exigeants tels que les convertisseurs CC-CC, le redressement synchrone et le contrôle de moteur. Le boîtier DFN de puissance compact de 5 mm x 6 mm garantit une densité à haute puissance et une excellente dissipation thermique tandis que la faible charge de grille du dispositif prend en charge une commutation rapide pour une efficacité améliorée dans des conceptions à haute fréquence.

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