NTMFS5H419NLT1G

onsemi
863-NTMFS5H419NLT1G
NTMFS5H419NLT1G

Fab. :

Description :
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 150A, 2.1mohm

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 890

Stock:
1 890 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,81 € 1,81 €
1,09 € 10,90 €
0,808 € 80,80 €
0,657 € 328,50 €
0,634 € 634,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
0,585 € 877,50 €
0,549 € 1 647,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
40 V
155 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 15 ns
Transconductance directe - min.: 80 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 56 ns
Série: NTMFS5H419NL
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 62 ns
Délai d'activation standard: 24 ns
Poids de l''unité: 175 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NTMFS5H419NL 40V 150A N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS5H419NL 40V 150A N-channel Power MOSFET is a Single Channel MOSFET offering low ON resistance, low gate charge, and low capacitance. These features minimize conduction loss and provide superior switching performance. The NTMFS5H419NL Power MOSFET is offered in a compact 5mm x 6mm DFN-5 package, ideal for space constrained applications.

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (RDS(ON), une charge de grille (Qg) ultra-faible et une faible (Qg) x RDS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Qg et Qoss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).