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BUK6Q66-60PJ

Name: Nexperia BUK6Q66-60PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q66-60PJ
Price: 1.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-BUK6Q66-60PJ

N° de fab. :

BUK6Q66-60PJ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

BUK6Q66-60PJ Fiche technique (PDF)

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	0,416 €	208,00 €
	0,378 €	378,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MLPAK33-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	66 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Qg - Charge de grille:	19 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	56 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	172 ns
Transconductance directe - min.:	12.7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934670275118

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Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET BUK6Q66-60PJ

Le MOSFET BUK6Q66-60PJ Nexperia est un FET à canal P de 60 V, automobile, en mode amélioration, dans un boîtier plastique MLPAK33 (SOT8002-3) CMS utilisant la technologie MOSFET Trench. Ce MOSFET offre une compatibilité de niveau logique et des flancs mouillables pour une inspection optique de la soudure. Le MOSFET BUK6Q66-60PJ fonctionne en mode négatif pendant le fonctionnement normal, avec une tension drain-source (V_DS). Ce MOSFET est proposé dans un boîtier à rendement thermique efficace et d'un petit facteur de forme (empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm). Le MOSFET BUK6Q66-60PJ est qualifié AEC-Q101 et convient aux applications automobiles. Ce MOSFET est idéal pour la protection contre la polarité inverse, les pilotes de ligne haute vitesse, les commutateurs de charge haute tension et les pilotes de relais.