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STGWA40M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA40M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40M120DF3
Price: 5.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGWA40M120DF3

N° de fab. :

STGWA40M120DF3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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Fiche technique:

STGWA40M120DF3 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,07 €	5,07 €
	2,88 €	28,80 €
	2,39 €	239,00 €
	2,25 €	1 350,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	468 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	M
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	40 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

STGWA40M120DF3 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed with an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics S Series 1200V IGBTs are tailored to maximize low-frequency industrial system efficiency. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.