Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V

Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V de ROHM Semiconductor disposent d’une faible perte de commutation et de conduction. Ces IGBT ont une tension nominale collecteur-émetteur de 1 200 V et un courant nominal collecteur-courant de 69 A. Les dispositifs RGA80Tx de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les compresseurs électriques, les chauffages HT pour les applications automobiles et les onduleurs pour les applications industrielles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
894En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
414En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
366En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Fiche technique
421En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube