600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 600 V Power Schottky Diode
Fiche technique
680En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DPAK Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 600 V Power Schottky Diode
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 600 V 1.9 V 14 A 50 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

Through Hole D2PAK Single 8 A 600 V 1.7 V 30 A 100 uA - 40 C + 175 C STPSC Reel