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NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-MFWS002N10MCLT1G

N° de fab. :

NVMFWS002N10MCLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL HE

Fiche technique:

NVMFWS002N10MCLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,65 €	3,65 €
	2,40 €	24,00 €
	1,69 €	169,00 €
	1,55 €	775,00 €
	1,44 €	1 440,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,44 €	2 160,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	177 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	97 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	164 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	105 ns
Transconductance directe - min.:	200 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	NVMFWS002N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	250 ns
Délai d'activation standard:	24 ns

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Fiche technique

NVMFWS002N10MCLT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS002N10MCL

Les MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS002N10MCL d'onsemi disposent d’un courant de drain continu de 177 A, d’une R_DS(ON) de 2,8 mΩ à 10 V et d’une tension drain-source de 100 V. Le NVMFWS002N10MCL est disponible en boîtier plat à broches de 5 mm x 6 mm développé pour des conceptions compactes et efficaces. Le MOSFET homologué AEC-Q101 d'onsemi est compatible PHPP et idéal pour les applications automobiles.