IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée AFGY100/AFGY120T65SPD

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée AFGY100T65SPD et AFGY120T65SPD onsemi sont certifiés AEC-Q101 et offrent de très faibles pertes de conduction et de commutation. Ces caractéristiques favorisent un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications, une fiabilité transitoire robuste et une faible EMI.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
Fiche technique
1 771En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 660 W - 55 C + 175 C AFGY100T65SPD Tube
onsemi AFGY120T65SPD
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
Fiche technique
1 027En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 714 W - 55 C + 175 C AFGY120T65SPD Tube
onsemi IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH DIODE
Fiche technique
417En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 240 A 882 W - 55 C + 175 C FGY120T65SPD Tube