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IRFB4020PBF

Name: Infineon IRFB4020PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRFB4020PBF
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

942-IRFB4020PBF

N° de fab. :

IRFB4020PBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

Fiche technique:

IRFB4020PBF Fiche technique (PDF)

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	0,587 €	5,87 €
	0,586 €	58,60 €
	0,507 €	253,50 €
	0,475 €	475,00 €
	0,449 €	898,00 €
	0,442 €	2 210,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	6.3 ns
Transconductance directe - min.:	24 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	7.8 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Spice Model - IRFB4020PBF

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.