MOSFET à canal N TPH2R70AR5

Le MOSFET à canal N TPH2R70AR5 de Toshiba combine une faible résistance de conduction et de faibles pertes de commutation pour une efficacité de conversion d'énergie optimale. Le TPH2R70AR5 est conçu pour les applications exigeantes et permet une commutation à haute vitesse et des performances fiables dans des conceptions compactes. Le MOSFET à canal N en silicium est idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, les régulateurs de tension de commutation et les pilotes de moteur.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Toshiba MOSFET 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H 3 052En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H 3 441En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H 5 409En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape