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PSMB033N10NS2_R2_00201

Name: Panjit PSMB033N10NS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMB033N10NS2R22
Price: 4.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PSMB033N10NS2R22

N° de fab. :

PSMB033N10NS2_R2_00201

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

PSMB033N10NS2_R2_00201 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,11 €	4,11 €
	2,72 €	27,20 €
	2,12 €	212,00 €
	1,89 €	945,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	1,61 €	1 288,00 €
	1,52 €	3 648,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-263AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	219 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	333 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.9 ns
Série:	PSM
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24.7 ns
Délai d'activation standard:	15.5 ns
Poids de l''unité:	1,400 g

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Fiche technique

PSMB033N10NS2_R2_00201 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET features a high switching speed and low reverse transfer capacitance. The PANJIT PSMB033N10NS2 is housed in a TO-263AB-L package. The device is ideal for battery management systems in industrial applications and is compliant with IEC 61249 and EU RoHS 2.0 standards, using a Green molding compound.

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.