DMN2992UFA-7B

Diodes Incorporated
621-DMN2992UFA-7B
DMN2992UFA-7B

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

Cycle de vie:
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0,086 € 0,86 €
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0,03 € 30,00 €
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0,022 € 110,00 €
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Diodes Incorporated
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
X2-DFN0806-3
N-Channel
1 Channel
20 V
520 uA
990 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
410 pC
- 55 C
+ 150 C
410 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 10000
Sous-catégorie: Transistors
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

Le MOSFET à canal N 20 V DMN2992UFA de Diodes Incorporated est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)). Le MOSFET offre une performance de commutation supérieure, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité. Le MOSFET DMN2992UFA de Diodes Inc. existe en boîtier X2-DFN0806-3, à profil mince et à hauteur de 0,04 mm.