MOSFET de puissance N voies double NTJD5121N/NVJD5121N

Les MOSFET de puissance à canal N doubles NTJD5121N/NVJD5121N d'onsemi disposent d’un faible RDS (on), seuil de grille et capacité d’entrée. Les MOSFET NTJD5121N/NVJD5121N d'onsemi disposent d’une tension drain-source de 60 V et d’un courant de drain continu maximal de 295 μA. Les NTJD5121N/NVJD5121N sont homologués AEC-Q101 et compatibles PHPP, idéaux pour les applications automobiles.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA 192 676En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 19 798En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA 26 340En stock
12 00018/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 30 171En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel