MOSFET PD (Power Delivery) OptiMOS™

Les MOSFET PD (Power Delivery) OptiMOS™ d'Infineon Technologies sont idéaux pour les conceptions de chargeur rapide et USB-PD. Ils s'accompagnent en outre de délais d'approvisionnement et de temps de réponse aux devis courts. Les MOSFET de niveau logique dans les boîtiers PQFN 3,3 mm x 3,3 mm et SuperSO8 ont été optimisés pour le redressement synchrone dans les applications SMPS de 25 V à 150 V pour les chargeurs et lesadaptateurs. Le pilote de niveau logique présente une tension de seuil de grille (VGS(th)) faible, ce qui permet de piloter les MOSFET basse et moyenne tension à partir de 4,5 V ou directement à partir de microcontrôleurs, réduisant ainsi le nombre de composants dans l'application.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
Fiche technique
4 307En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
4 002En stock
5 00015/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4 165En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
3 897En stock
10 00029/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
69En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 5 000
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel