SIZ240DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3

Fab. :

Description :
MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 8 026

Stock:
8 026 Expédition possible immédiatement
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,69 € 1,69 €
1,07 € 10,70 €
0,711 € 71,10 €
0,583 € 291,50 €
0,511 € 511,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,47 € 1 410,00 €
0,432 € 2 592,00 €
0,421 € 3 789,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
2 Channel
40 V
48 A, 47 A
8 mOhms, 8.4 mOhms
- 16 V, 20 V
2.4 V
15.2 nC, 14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Vishay / Siliconix
Configuration: Dual
Temps de descente: 5 ns, 10 ns
Transconductance directe - min.: 39 S, 55 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 6 ns, 55 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 23 ns, 25 ns
Délai d'activation standard: 15 ns, 25 ns
Poids de l''unité: 143,050 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET 40 V à canal N double (D-S) SiZ240DT

Le MOSFET 40 V à canal N double (D-S) SiZ240DT de Vishay dispose de la technologie MOSFET de puissance TrenchFET® Gén IV, avec des MOSFET côté haut et côté bas intégrés dans un boîtier PowerPAIR® compact de 3,3 mm2. Le SiZ240DT offre la meilleure résistance à l'état passant et le meilleur rapport entre la résistance à l'état passant et la charge de grille, un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion de puissance.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.