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FZ1800R45HL4S7BPSA1

Name: Infineon FZ1800R45HL4S7BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-800R45HL4S7BPSA1
Price: 2041.04 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-800R45HL4S7BPSA1

N° de fab. :

FZ1800R45HL4S7BPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 4500 V, 1800 A single switch IGBT module

Fiche technique:

FZ1800R45HL4S7BPSA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	4.5 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.15 V
Courant collecteur continu de 25 C:	1.8 kA
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	4 MW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 25 V
Style de montage:	Through Hole
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	FZ1800R45HL4_S7
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	FZ1800R45HL4_S7 SP005425222

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: 3A228.c

Modules IGBT 4 500 V

Les modules IGBT 4 500 V Infineon Technologies sont des modules IGBT à simple commutateur 1 800 A de 190 mm. Ils sont composés d'un IGBT4 Trench/Fieldstop, de quatre diodes contrôlées par émetteur et d'une embase AlSiC isolée. Les modules IGBT 4 500 V sont idéaux pour les applications à courant continu et haute tension.