Modules IGBT 4 500 V

Les modules IGBT 4 500 V Infineon Technologies sont des modules IGBT à simple commutateur 1 800 A de 190 mm. Ils sont composés d'un IGBT4 Trench/Fieldstop, de quatre diodes contrôlées par émetteur et d'une embase AlSiC isolée. Les modules IGBT 4 500 V sont idéaux pour les applications à courant continu et haute tension.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 4500 V, 1200 A single switch IGBT module
406/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Module Dual 2.35 V 1.2 kA 400 nA 2.65 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 4500 V, 1800 A single switch IGBT module
Délai de livraison 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 4.5 kV 2.15 V 1.8 kA 400 nA 4 MW - 40 C + 150 C Tray