Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs

Vishay Siliconix's Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs set new benchmarks for size and on-resistance. The new Si8497DB is the industry's first 30V chipscale MOSFET in the compact 1 mm by 1.5 mm size, making it the smallest such device on the market, while the Si8487DB provides the lowest on-resistance available for a 30V chipscale device in the 1.6 mm by 1.6 mm form factor. Vishay's TrenchFET Gen III P-channel technology uses advanced process techniques to pack one billion transistor cells into each square inch of silicon. The Si8497DB and Si8487DB will be used for load, battery, and charger switching in handheld devices including smart phones, tablets, point-of-sale (POS) devices, and mobile computing.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
Fiche technique
8 604En stock
12 00016/04/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 30 V 7.7 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
Fiche technique
2 066En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 43 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel