MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

Les MOSFET de puissance 40 A et 80 A automobile de ROHM Semiconductor sont des dispositifs à canal N et à canal P.  Ces MOSFET homologués AEC-Q101 se caractérisent par une faible résistance à l'état passant, un courant drain pulsés de ±80 A/±160 A et une dissipation d'énergie jusqu'à 142 W. Les MOSFET de puissance de 40 A et 80 A fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont testés à 100 % en avalanche. Ces MOSFET de puissance sont parfaits pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 30V 80A
Fiche technique
2 241En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 40V 80A
Fiche technique
2 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A
Fiche technique
2 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
Fiche technique
1 677En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
Fiche technique
1 742En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape