Combo-FET

Les Combo-FET d'Onsemi sont des dispositifs révolutionnaires qui combinent un JFET SiC à faible RDS(on) d'Onsemi avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique. Spécialement conçus pour des applications de protection à basse fréquence, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs de batterie et la protection contre les surtensions, ces Combo-FET permettent aux utilisateurs d'accéder à la grille du JFET pour optimiser la conception. L'intégration du MOSFET Si dans ces Combo-FET d'Onsemi garantit une solution normalement éteinte, ce qui permet de réduire la taille de plus de 25 % par rapport aux implémentations discrètes.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Vds - Tension de rupture drain-source Vgs - Tension de rupture grille-source Courant drain/source à Vgs=0 Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
onsemi JFET UG4SC075005L8S 1 793En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 627En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube