MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Le MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X d'onsemi offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool). Ce MOSFET dispose d’un faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction et un faible QG, ainsi qu'une faible capacité pour minimiser les pertes de pilote. Le NVBYST0D6N08X d’onsemi est conforme à la norme AEC-Q101, compatible PHPP, sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Une application typique pour ce MOSFET est leredressement synchrone (SR) dans les alimentations CC-CC et CA-CC, un commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé, les entraînements à moteur et les systèmes automobiles 48 V.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m?
Fiche technique
980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NVBYST0D8N08XTXG
onsemi MOSFET PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 53 Semaines
Min. : 1 500
Mult. : 1

PowerTrench