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STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 4.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STD80N240K6

N° de fab. :

STD80N240K6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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Fiche technique:

STD80N240K6 Fiche technique (PDF)

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Délai usine :: 13

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,45 €	4,45 €
	3,26 €	32,60 €
	2,63 €	263,00 €
	2,34 €	1 170,00 €
	2,00 €	2 000,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	2,00 €	5 000,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	220 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	105 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 16 A STD80N240K6

Le MOSFET de puissance MDmesh™ K6 800 V 16 A STD80N240K6 de STMicroelectronics offre un excellent R_DS(on) x zone et une faible charge totale de grille (Q_g), permettant des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes. Une diode de protection DES intégrée augmente la robustesse globale du MOSFET STD80N240K6 jusqu’au modèle de corps humain (HBM) de classe 2. Les MOSFET MDmesh K6 disposent d'une tension de seuil réduite par rapport à la génération MDmesh K5 précédente, ce qui permet une tension de pilotage plus faible et ainsi de réduire les pertes de puissance et d'obtenir un rendement principalement pour les applications de veille de puissance nulle. Le STD80N240K6 est optimisé pour les applications d'éclairage basées sur la topologie Flyback, telles que les pilotes LED et les lampes HID. Le composant est également idéal pour les adaptateurs et les alimentations pour les écrans plats.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.