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SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 18.89 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SH63N65DM6AG

N° de fab. :

SH63N65DM6AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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Fiche technique:

SH63N65DM6AG Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 200)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	18,89 €	18,89 €
	14,96 €	149,60 €
	10,84 €	1 084,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 200)
	10,84 €	2 168,00 €
	9,39 €	3 756,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	ACEPACK SMIT-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	53 A
Rds On - Résistance drain-source:	64 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	80 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	424 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AQG 324
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Dual
Temps de descente:	8 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	200
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	68 ns
Délai d'activation standard:	28 ns
Poids de l''unité:	8,200 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

Le MOSFET de puissance SH63N65DM6AG de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à topologie en demi-pont MDmesh DM6 à canal N de qualité automobile offrant une tension de blocage de 650 V. Ce MOSFET de puissance est qualifié AQG 324 et est fourni dans un boîtier à faible inductance ACEPACK SMIT. Le MOSFET de puissance SH63N65DM6AG dispose de très faibles énergies de commutation, d’une faible résistance thermique et d’un indice d’isolation 3,4 kV_rms/min. Ce MOSFET de puissance possède un substrat en cuivre directement lié (DBC) qui aide le boîtier à offrir une faible résistance thermique associée à une plaquette thermique isolée sur le dessus. Le MOSFET SH63N65DM6AG est proposé dans un boîtier offrant une grande flexibilité de conception permettant plusieurs configurations, notamment des segments de phase, un boost et un commutateur unique via différentes combinaisons de commutateurs d'alimentation internes. Ce MOSFET de puissance est idéal pour les applications de commutation.