ZXGD3108N8TC

Diodes Incorporated
621-ZXGD3108N8TC
ZXGD3108N8TC

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 40V Active OR-ING FET CTRL 25Vcc

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 423

Stock:
2 423 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
40 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,24 € 2,24 €
1,45 € 14,50 €
1,32 € 33,00 €
1,12 € 112,00 €
1,05 € 262,50 €
0,92 € 460,00 €
0,778 € 778,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,719 € 1 797,50 €
0,703 € 3 515,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diodes Incorporated
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
1 Output
3.3 A
4 V
20 V
695 ns
131 ns
- 50 C
+ 150 C
ZXGD3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Délai de désactivation max.: 400 ns
Délai d'activation max.: 400 ns
Durée de l'état bloqué maximale: 400 ns
Courant d'alimentation de fonctionnement: 200 uA
Tension de sortie: 19.2 V
Pd - Dissipation d’énergie : 785 mW
Type de produit: Gate Drivers
Arrêt: No
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Nom commercial: ZXGD3108
Poids de l''unité: 750 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

ZXGD3108N8 40V Active O-Ring MOSFET Controller

Diodes Inc. ZXGD3108N8 40V Active O-Ring MOSFET Controller is designed for driving a very low RDS(ON) Power MOSFET as an ideal diode. This replaces the standard rectifier to reduce the forward voltage drop and overall increase the power transfer efficiency. It can be used on both high-side and low-side power supply units (PSU) with rails up to ±40V. It enables very low RDS(ON) MOSFETs to operate as ideal diodes as the turn-off threshold is only -3mV with ±2mV tolerance.