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RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RF6L025BGTCR

N° de fab. :

RF6L025BGTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET SOT363 N-CH 60V 2.5A

Fiche technique:

RF6L025BGTCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,585 €	0,59 €
	0,36 €	3,60 €
	0,231 €	23,10 €
	0,175 €	87,50 €
	0,157 €	157,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,13 €	390,00 €
	0,12 €	720,00 €
	0,107 €	963,00 €
	0,104 €	2 496,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363T-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	91 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	3.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.1 ns
Transconductance directe - min.:	1.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	5.3 ns

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Fiche technique

RF6L025BGTCR Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance RF6L025BG

Le MOSFET de puissance RF6L025BG de ROHM Semiconductor dispose d’une tension drain-source (V_DSS) 60 V et d’un courant de drain continu (I_D) ±2,5 A. Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l’état passant du 91 mΩ (R_{DS (on)}) et une dissipation de puissance du 1 W (P_D). Le MOSFET RF6L025BG fonctionne dans la plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement de -55 °C à 150 °C et est disponible en petit boîtier à montage en surface sans halogène (TUT6 ou SOT-363T). Ce composant conforme à la directive RoHS intègre un placage sans plomb. Le MOSFET de puissance RF6L025BG est adapté aux applications de commutation, d’entraînement moteur et de convertisseur CC-CC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.