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RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 173.87 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-RF3L05150CB4

N° de fab. :

RF3L05150CB4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Transistors MOSFET RF 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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Fiche technique:

RF3L05150CB4 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	28 V
Rds On - Résistance drain-source:	1 Ohms
Fréquence de fonctionnement:	945 MHz
Gain:	16 dB
Alimentation en sortie:	150 W
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	LBB-4
Type de transistor:	LDMOS FET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Nombre de canaux:	1 Channel
Type de produit:	RF MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	RF Transistors
Type:	RF Power MOSFET
Poids de l''unité:	2,400 g

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Fiche technique

RF3L05150CB4 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

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RF3L05150CB4

Fab. : STMicroelectronics

Description : Transistors MOSFET RF 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Complétez votre conception

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LET RF Power Transistors

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