Modules hybrides Si/SiC NXH450B100H4Q2

Les modules hybrides au Si/SiC onsemi NXH450B100H4Q2 contiennent deux IGBT de 1 000 V, 150 A, deux diodes de 1 200 V, 30 A au SiC et deux diodes de 1 600 V, 30 A de contournement, ainsi qu'une thermistance à CTN. Ces modules hybrides au Si/SiC présentent des options de dissipation d'énergie de système réduit à faible perte de commutation, de disposition à faible induction, d'ajustement serré et de broches de brasure. Les modules hybrides NXH450B100H4Q2 présentent une plage de températures de stockage de -40 °C à 125 °C et une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 125 °C dans des conditions de commutation. Ces modules hybrides au Si/SiC sont idéalement utilisés dans des convertisseurs solaires et dans des alimentations électriques sans interruption.