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SIR680ADP-T1-RE3

Name: Vishay SIR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR680ADP-T1-RE3
Price: 2.69 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIR680ADP-T1-RE3

N° de fab. :

SIR680ADP-T1-RE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Fiche technique:

SIR680ADP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,69 €	2,69 €
	1,75 €	17,50 €
	1,21 €	121,00 €
	1,01 €	505,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,86 €	2 580,00 €
	0,842 €	7 578,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	125 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.88 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	43 nC, 55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns, 12 ns
Transconductance directe - min.:	68 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns, 15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	N - Channel
Délai de désactivation type:	30 ns, 30 ns
Délai d'activation standard:	17 ns, 19 ns
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SIR680ADP-T1-RE3 Fiche technique

Application Notes

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N (D-S) SiR680ADP

Le MOSFET à canal N (D-S)SiR680ADP Vishay est un MOSFET de puissance TrenchFET^® Gen IV disposant d'un faible facteur de mérite (FOM) R_DS-Q_g. Ce MOSFET est réglé pour le plus faible R_DS à Q_oss FOM ET testé 100% R_g et UIS. Le MOSFET SiR680ADP fonctionne sur une plage de température de -55°C à 150°C. Ce MOSFET fonctionne à une tension drain-source de 80 V, une tension grille-source de ± 20 V et un courant drain d'impulsion de 125 A. Le MOSFET SiR680ADP est fourni avec le boîtier PowerPAK SO-8. Ce MOSFET est idéal pour une utilisation dans le commutateur côté primaire de redressement synchrone, les convertisseurs CC-CC, les OR-ing, les alimentations et le contrôle d'entraînement moteur.

MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une R_DS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Q_dg/Q_gs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
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