Diodes à barrière Schottky SiC TRSx

Les diodes SiC Schottky Barrier TRSx de Toshiba sont des dispositifs de 3ème génération avec une tension de crête inverse répétitive (VRRM) de 1 200 V. Le courant nominal CC (IF(CC)) pour le TRS30N120HB est de15 A par patte , soit 30 A pour les deux pattes et de 20 A par patte, soit 40 A pour les deux pattes, pour le TRS40N120HB. Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier standard TO-247. Les diodes à barrière de Schottky SiC TRSx de Toshiba sont idéales pour les applications de correction du facteur de puissance, les convertisseurs solaires, les alimentations sans interruption et les convertisseurs CC-CC.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement max.
Toshiba Diodes Schottky SiC 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba Diodes Schottky SiC 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Fiche technique
24En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C