MOSFET de puissance série EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF

Les MOSFET de puissance série EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF de Vishay sont des MOSFET de puissance à canal N à diode Fast Body 600 V développés pour les topologies à commutation souple et ZVS, comme les ponts à décalage de phase et les demi-ponts convertisseur LLC. Les MOSFET de puissance série EF SiHx28N60EF / SiHx33N60EF améliorent la fiabilité dans ces applications en offrant une Qrr 10 fois plus faible que les MOSFET standard. Ceci permet aux composants de regagner la capacité de bloquer la tension totale de panne plus rapidement, aidant à éviter les défaillances dues à la surchauffe ou au courant traversant. De plus, la Qrr réduite permet de plus faibles pertes de recouvrement inverse par rapport aux MOSFET standard. Le niveau ultra-faible de résistance en marche et de charge de grille de ces composants se traduit par un niveau extrêmement faible de conduction et de pertes de commutation pour économiser l'énergie dans les applications en mode commutation à haute puissance et hautes performances. Basée sur la technologie à super-jonction de série E, la série est classée Avalanche Energy (UIS) et disponible en boîtiers TO-220, TO-263, TO-220F et TO-247AC.
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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Si
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 55 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20.3 A 148 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube