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NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 1.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFS6H850NLTAG

N° de fab. :

NTTFS6H850NLTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Fiche technique:

NTTFS6H850NLTAG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,25 €	1,25 €
	0,797 €	7,97 €
	0,548 €	54,80 €
	0,436 €	218,00 €
	0,427 €	427,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,354 €	531,00 €
	0,325 €	975,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	64 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	26 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	73 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	64.1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Série:	NTTFS6H850NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	29,570 mg

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Fiche technique

NTTFS6H850NLTAG Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).

NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET offers a low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses. The NTTFS6H850NL MOSFET features a small 3.3mm x 3.3mm footprint for compact and efficient designs and is Pb-free and RoHS compliant.