Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX

Les modules à pont complet MOSFET SiC GCMX 1 200 V de SemiQ offrent de faibles pertes de commutation, une faible résistance thermique jonction-boîtier et un montage aisé et très robuste. Ces modules sont montés directement sur le dissipateur thermique (boîtier isolé) et comprennent une référence Kelvin pour un fonctionnement stable. Toutes les pièces ont été rigoureusement testées pour résister à des tensions supérieures à 1 350 V. Ces modules sont principalement caractérisés par leur solide tension drain-source de 1 200 V. Les modules à pont complet GCMX fonctionnent à une température de jonction de 175°C et sont conformes à la directive RoHS. Les applications standard comprennent les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de batterie, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.

Résultats: 9
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
SemiQ Modules MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Fiche technique
31En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Modules MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Fiche technique
35En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Modules MOSFET 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ Modules MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Fiche technique
Non stocké
Min. : 40
Mult. : 40
Bobine: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ Modules MOSFET 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ Modules MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Fiche technique
Non stocké
Min. : 40
Mult. : 40
Bobine: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ Modules MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Fiche technique
Non stocké
Min. : 40
Mult. : 40
Bobine: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ Modules MOSFET 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ Modules MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 40
Mult. : 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk