MOSFET de puissance moyenne à canal N RV7x

Les MOSFET de puissance moyenne N voies RV7x ROHM Semiconductor fournissent une faible résistance en marche et une excellente conduction thermique. Le RV7x est disponible en boîtier plastique CMS à pastille de drain exposée et ultra-compact sans fil (1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm). Les MOSFET RV7x ROHM sont idéaux pour les applications de commutation et de commutation de charge avec une plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V 2A Middle Power MOSFET 2 630En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 157 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 30V 4A Middle Power MOSFET
6 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel