Diode à faible fuite BAS116LS-Q

La diode à faible fuite BAS116LS-Q de Nexperia est logée dans un boîtier plastique DFN1006BD-2 (SOD882BD) à montage en surface (CMS) ultra-compact. L’emballage a des flancs mouillables latéraux. Les BAS116LS-Q disposent d’un temps de commutation de trr max. = 3 ° s et d’un faible courant de fuite de IR max. = 5 nA.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Style de montage Package/Boîte Tension inverse de pointe Courant de surtension max. If - Courant direct Configuration Délai de reprise Vf - Tension directe Ir - Courant inverse Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Qualification Conditionnement
Nexperia Diodes de commutation de signal faible BAS116LS-Q/SOD882BD/XSON2
99 73402/04/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 10 000

Switching Diodes SMD/SMT DFN-1006BD-2 85 V 4 A 325 mA Single 3 us 1.25 V 80 nA - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Diodes de commutation de signal faible BAS116LS/SOD882BD/XSON2
19 98702/04/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 10 000

Switching Diodes SMD/SMT DFN-1006BD-2 85 V 4 A 325 mA Single 3 us 1.25 V 5 nA - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape