IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD

Les IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD d'onsemi sont des IGBT de 4e génération, à arrêt de champ et à haut débit, idéaux pour les applications automobiles. Les IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD offrent une fiabilité plus élevée et une performance optimale pour les commutations souples et dures. Les IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD d'Onsemi sont qualifiés AEC Q101 et offrent des pertes de commutation et de conduction très faibles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement

onsemi IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 40A Fieldstop 4 trench IGBT
Fiche technique
6 788En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C AFGHL40T65SQD AEC-Q101 Tube

onsemi IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT
Fiche technique
700En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C AFGHL50T65SQD AEC-Q101 Tube