Résistances à couches épaisses et bornes larges LTR50

Les résistances shunt haute puissance à couches épaisses et à bornes larges LTR50 de ROHM Semiconductor disposent de bornes sur les côtés longs pour atteindre une puissance nominale de 2 W dans un boîtier compact de taille 2550 (2,5 mm x 5 mm, ép =0,58 mm). Ceci est quatre fois plus élevé que les types de bornes courtes conventionnelles, ce qui contribue à des économies d'énergie accrues et à la miniaturisation dans les applications à haute puissance. La structure d'élément optimisée atteint des caractéristiques supérieures de coefficient de température de résistance (TCR). Cela entraîne une fluctuation de résistance minimale en raison des changements de température, permettant la détection de courant avec une haute précision. Les résistances shunt haute puissance à couches épaisses et à bornes larges LTR50 de ROHM Semiconductor offrent une certification ISO 9001 / IATF16949, une correspondance AEC-Q200 et une conformité à la directive RoHS. Le LTR50 est idéal pour la détection de courant dans une variété d'applications, notamment les convertisseurs, les appareils CA et les appareils économes en énergie.