SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes

Diotec Semiconductor SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes feature low capacitive charge, high-speed switching, and a high reverse voltage. The SICW20C120 diodes offer a <1.8V forward voltage and a 1200V repetitive peak reverse voltage. The device is ideally suited for high voltage/high-frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Configuration If - Courant direct Vrrm - Tension inverse répétitive Vf - Tension directe Ifsm - Courant de surtension direct Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
Diotec Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A 450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SICW Tube
Diotec Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A 437En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.8 V 80 A - 50 C + 175 C SICW Tube