IGBT Duopack à faibles pertes

Les IGBT Duopack à faibles pertes Infineon Technologies sont conçus pour résister à l'humidité grâce aux technologies Trenchstop™ et Fieldstop™. Ils sont dotés d'une diode antiparallèle ultrarapide à recouvrement progressif, d'un courant de queue faible et d'un VCEsat très faible.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
7 818En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
90En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
16En stock
1 440Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
66En stock
72001/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
2 400Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube