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GP3D050B170B

Name: SemiQ GP3D050B170B
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D050B170B
Price: 15.02 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

148-GP3D050B170B

N° de fab. :

GP3D050B170B

Fab. :

SemiQ

Description :

Diodes Schottky SiC SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

GP3D050B170B Fiche technique (PDF)

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	15,02 €	15,02 €
	12,02 €	120,20 €
	10,39 €	1 246,80 €
25 020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	50 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.7 kV
Vf - Tension directe:	2.27 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	360 A
Ir - Courant inverse:	42 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	SemiQ
Pd - Dissipation d’énergie :	789 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	1.7 kV

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Fiche technique

GP3D050B170B Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V

La diode SCHOTTKY au carbure de silicium (SiC) GP3D050B170B QSiC™ 1 700 V SemiQ est fournie dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre à la taille et aux besoins en puissance dans des applications telles que les alimentations à découpage, les alimentations sans interruption (ASI), les onduleurs solaires et les stations de chargement de véhicules électriques (EV). Cette diode discrète dispose d’un courant de récupération inverse nul et d’une perte de commutation quasi nulle, ainsi que d’une gestion thermique améliorée qui réduit les besoins de refroidissement. Cela se traduit par des conceptions à haut rendement et hautes performances qui minimisent la dissipation de chaleur du système, permettant l’utilisation de plus petits dissipateurs thermiques pour économiser de l’espace et des coûts. Le module GP3D050B170B prend également en charge des configurations parallèles faciles pour une flexibilité et une évolutivité améliorées dans les applications d’alimentation. La diode SCHOTTKY SiC GP3D050B170B QSiC 1 700 V SemiQ prend en charge une commutation rapide sur une plage de température de jonction en fonctionnement de -55°C à +175°C.

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.