Automotive COOLiRFET™ Power MOSFETs

Infineon Automotive COOLiRFET™ Power MOSFETs are specifically designed for Automotive applications. These HEXFET® Power MOSFETs utilize processing techniques that achieve low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a +175°C junction operating temperature, fast switching speed, and improved repetitive avalanche rating. These devices offer low conduction losses and robust avalanche performance to deliver higher efficiency, power density, and reliability. With this performance, many applications using these COOLiRFET™ devices run significantly cooler than with state-of-the-art MOSFETs. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in automotive applications and a wide variety of other applications.

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2 741En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 176 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2 971En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 91 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V,40V) 1 128En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) Délai de livraison produit non stocké 9 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 221 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape