STGHU30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG

Fab. :

Description :
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Cycle de vie:
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540
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600
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Délai usine :
15
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,81 € 3,81 €
2,53 € 25,30 €
1,79 € 179,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
1,44 € 864,00 €
1,39 € 1 668,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
HU3PAK-7
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 57 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBTs
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 2,320 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

L'IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG de STMicroelectronics est développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée. Le STGHU30M65DF2AG de STMicroelectronics offre un équilibre idéal entre performance système et efficacité du convertisseur, avec une faible perte de puissance et une protection contre les courts-circuits. Le coefficient de température VCE(sat) positif et la distribution constante des paramètres améliorent un fonctionnement en parallèle sûr.