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FGH60N60SMD

Name: onsemi FGH60N60SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH60N60SMD
Price: 6.2 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

512-FGH60N60SMD

N° de fab. :

FGH60N60SMD

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

Fiche technique:

FGH60N60SMD Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,20 €	6,20 €
	3,57 €	35,70 €
	2,98 €	357,60 €
	2,94 €	1 499,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.9 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	120 A
Pd - Dissipation d’énergie :	600 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGH60N60SMD
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,390 g

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Fiche technique

FGH60N60SMD Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH60N60SMD & FGH40N60SMD Field Stop IGBTs

onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs offer the most ideal performance for Solar Inverters, UPS, SMPS, IH, and PFC applications in which low conduction and switching losses are essential. onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs have 60A and 40A collector current ratings, respectively. Both IGBT Series offer a maximum junction temperature of 175ºC, a positive temperature co-efficient for an easy parallel operating, high current capability, low saturation voltage, high input impedance, fast switching ability, and tight parameter distribution.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.